蒸發（fā）結晶器 ／ 雙（shuāng）效蒸發結晶器 ／ 溶液結晶器

一：蒸（zhēng）發結晶器概述（shù）

蒸發結晶器是屬於（yú）結晶器的一種，它的內部結構設計方案都與強製循環蒸發器類似，因為這（zhè）倆種蒸發器都可（kě）以通過將內部溶劑減壓濃縮後而結晶，當然不同（tóng）的物料也會讓我們工程師設計不同的結晶器方案的（de）重要（yào）原因。下（xià）麵我們溫州草莓视频在线看污輕工（gōng）機械有限公（gōng）司就為大家來分（fèn）享下關於（yú）蒸發結晶器的（de）部（bù）分知識。

二：蒸發（fā）結晶器操作及其應用

結（jié）晶操作特性

結（jié）晶是在過飽和溶液中生成新相（xiàng）的過程，涉及固液相平（píng）衡。對特定的目標產物及（jí）物係，需通過實驗確定合適的結晶操作（zuò）條件，滿足結晶產品質量要求，提高結晶生產（chǎn）能力，降低過程成本。

結晶操作中的問題

過飽和度 增大溶液過飽和度可提高成（chéng）核速（sù）率和（hé）生長速率，有利於提高結晶生產能力。

1．過飽和度過大會出現問題：

1） 成核速率過快，產生大量微小晶體，結晶難以長大；
2） 結晶生長速率過快，影響結晶質量；
3） 結晶器壁容（róng）易產（chǎn）生晶垢。

存（cún）在最大過飽和度（dù），可保證在較高成核和生長速率的（de）同時（shí），不影響結晶的（de）質量。在不易產生（shēng）晶垢的（de）過飽和度下進行。

2．溶劑與pH值

結晶操（cāo）作（zuò）采用的溶（róng）劑和pH值應使目標溶質（zhì）的溶解度較低，以提高結晶器的結晶收率。溶劑和pH值（zhí）對（duì）晶形有影響。如普魯卡因青黴素在水溶液中的結晶為方形晶體，在醋（cù）酸丁酯中的結晶為（wéi）長棒狀（zhuàng）。在（zài）設計結晶操作前需實驗確定使結晶（jīng）晶形（xíng）較好（hǎo）的溶劑和pH值。

3．循環流速

用外部循環式結晶器時，循（xún）環流速的設定（dìng）要合理。

4．提高循環流速

1）有利於消除設備內的過飽和度分布，使（shǐ）設備（bèi）內的結晶成核速率及生長速率分布均勻；
2）可增大固液表麵傳質係數，提高結晶生長速率；
3）提高換熱效率，抑製換熱器表麵晶垢的生成（chéng）；

循環流速過高會造成結（jié）晶的磨損破碎。循環流速應在無結（jié）晶（jīng）磨損破（pò）碎的範（fàn）圍內取較（jiào）大的值。如（rú）果結晶器具備（bèi）結晶分（fèn）級功能，循（xún）環流速也不宜過高，應保（bǎo）證分級功（gōng）能的正常發揮。

5．溫度

溫度（dù）的不同，生成的晶形和結晶水會發生改變，溫度一般控製在較小的溫度範（fàn）圍內。冷卻結晶時，若降溫速度（dù）過（guò）快，溶液（yè）很快（kuài）達到較高的過飽（bǎo）和度，生成大量微小晶體，影響結晶產品的質量（liàng）。溫度最好控製在飽和溫度與過飽和溫度之間。

蒸發結（jié）晶時，蒸發速度過快，則溶液的過飽度較大，生成微小晶體，附著在結晶表麵，影響結（jié）晶產品的質量。蒸發速度應（yīng）與結（jié）晶生長速率相適應，保持溶（róng）液的過飽和度一定。工業結晶操作（zuò）常采用真空絕熱蒸發，不設外部循環加熱裝置，蒸發室內溫度較低，可（kě）防止過飽和（hé）度的劇烈變化（huà）。

6．結晶係統的晶垢

結晶器壁及循環係統中產生晶垢，影響結晶過程效率。

7．防（fáng）止晶（jīng）垢或除（chú）去晶垢（gòu）方法：

1）壁內表麵采用有機塗料，保持壁麵光滑，防止在器壁上的二維成核現象的發（fā）生；
2）提高結晶係統中流體流速，使流速（sù）分布均勻，消除低流速區；
3）若外循環液體為過飽和溶液，使其中不含有（yǒu）晶種；
4）采用夾套保溫方式防止壁麵附近過飽和度過高；
5）增設晶垢鏟除裝置，定期（qī）添加溶劑溶解產生的晶垢；
6）蒸發室壁麵極易（yì）產生晶（jīng）垢，可采用噴（pēn）淋溶劑的方式溶（róng）解晶（jīng）垢。

8．攪拌與混合

增大攪拌速度可提高成核和生長速率，攪拌速度過快會造成晶體的剪切破碎，影響結晶產品質量（liàng）。為獲得較好的混（hún）合狀態，同時（shí）避（bì）免結晶的破碎，可采（cǎi）用氣提（tí）式混合方式，或利用直徑或葉片較大的攪拌槳，降低槳的轉速（sù）。

9.晶種

向處於介穩區的過飽和溶液中添（tiān）加顆粒（lì）均勻的晶種。對於溶液粘（zhān）度較高的物係，晶核很難產生，而在高過飽度下，一旦產（chǎn）生（shēng）晶核，就會同時出現大（dà）量晶核，容易發生聚晶現象，產品質量（liàng）不易（yì）控製。

高粘度物（wù）係必須用（yòng）在介穩區內添加晶種的操作方（fāng）法。

10．共存雜質的影（yǐng）響

結晶的對象是多組分（fèn）物係，要選擇（zé）性結晶目標產物。

如果共存（cún）雜質的濃度較低，一般對目標產物的（de）結晶無明顯影響。但如果在結晶操作中雜質含量不斷升（shēng）高(如采用蒸發式結晶操作時)，雜質的積累會嚴重影響目標（biāo）產物結晶的純度。

結晶操（cāo）作中需要控製雜質的含量，往往在結晶係統（tǒng）中增設除雜設備。離子交換柱或廢（fèi）液排放。

11．晶漿濃度

晶漿濃度（dù）越高，單位體積結（jié）晶器中（zhōng）結晶（jīng）表麵（miàn）積越大，結晶生長速率越快，有（yǒu）利於提高（gāo）結（jié）晶生（shēng）產速度(產量)。但晶漿（jiāng）濃度過高（gāo）時，懸浮液的流動性差，混合操作（zuò）困（kùn）難。

晶漿濃度（dù）應在操作條件允許的範圍內取最大（dà）值。在間歇操作中（zhōng），晶種的（de）添加量應根據最終結晶產品的大小，滿足晶漿濃度最大的高效生產要求。